Disco Duro SSD Samsung 860 EVO 1 TB SATA 3 M. 2

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Samsung 860 EVO 1 TB SATA 3 M. 2 Duro SSD

Wir stellen Ihnen die neue Version der VerkaufsverkaufsSATA SSD, der Samsung 860 EVO, vor. Die neue SSD verfügt über die Samsung V-NAND Samsung und einen robusten Algorithmus-basierten Controller, und ist in verschiedenen Formaten und Funktionen verfügbar.

Genießen Sie konstante Geschwindigkeit auch bei großen Workloads und Multitasking. Samsung's 860 EVO SSD-Laufwerk bietet eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 520 MB/s dank der Intelligent TurboWrite íg Technologie, und eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 550 MB/s. Die Tama ñ oder der TurboWrite-Puffer wurde von 12 GB auf 78 GB verbessert und bietet Ihnen eine Dateiübertragung von m &aecas r &arecute;

.

Benef &iacciate de una comunicaci &oatuten m áres r áres pípida y fluido con tu equipo. Der neue ECC-Algorithmus und sein MJX-Treiber erzeugen Hochgeschwindigkeit m &aasties, während seine erweiterte TRIM-ó -Warteschlange seine Kompatibilität mit Linux begünstigt. Unser fortgeschrittener Ingenieur íos a har &aetuos unsere SSD 860 EVO m &aUteres kompatibel mit Ihrem Betriebssystem.

Was auch immer die tama ñ oder Ihr Computer, es wird immer eine 860 EVO SSD für Sie geben. Wählen Sie aus dem 2.5 ” -Modell für Ihren PC oder Port &atil, oder den SATA M. 2 (2280) und mSATA für ultradünne Geräte. So einfach.

Samsung 860 EVO-Spezifikationen:

  • Kapazität: 1.000 GB
  • Format: M. 2 2280
  • Schnittstelle: SATA 6 Gb/s Interface, kompatibel mit SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s
  • Abmessungen: M &aacuties x 80.15 x M &aacuties x 22.15 x Max.2.38 (mm)
  • Gewicht: M &aacuties x. 8g
  • Typ: NAND
  • Samsung: V-NAND 3bit MLC
  • Controller: Samsung MJX Controller
  • Memory cach é Samsung 1 GB Low Power DDR4 SDRAM
  • Special features
    • TRIM support: TRIM
    • Support S.M.A.R. T: S. M. A. R. T
    • GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm
    • Encryptaci &oatern n: AES 256-bit Encryption (Class 0 )TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive
      • Sequential reading: Bis zu 550MB/s
      • Sequentielles Schreiben: Bis zu 520 MB/s
      • Random reading (4KB, QD32): Bis zu 97.000 IOPS
      • Random Write (4KB, QD32): Bis zu 88,000 IOPS
      • Random Read (4KB, QD1): Bis zu 10.000 IOPS
      • Random Write (4KB, QD1): Bis zu 42.000 IOPS
  • Environment
    • Energ Consumption &iute; M &aximum: 4.5 W
    • Haltbarkeit (MTBF): 1,5 Mühle
    • Zauberer