Disco Duro SSD Samsung 860 EVO SATA 3 2TB
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Samsung 860 EVO SATA 3 2TB Duro SSD
Wir präsentieren Ihnen die neue Version der SATA SSD l &iuterer sales, die Samsung 860 EVO. Die neue SSD verfügt über die Samsung V-NAND Samsung und einen robusten Algorithmus-basierten Controller, und ist in verschiedenen Formaten und Funktionen verfügbar.
Genießen Sie konstante Geschwindigkeit auch bei großen Workloads und Multitasking. Das Samsung-Laufwerk SSD 860 EVO bietet dank der Intelligent TurboWrite íg-Technologie eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 520 MB/s und eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 550 MB/s. Die Tama ñ oder der TurboWrite-Puffer wurde von 12 GB auf 78 GB verbessert und bietet Ihnen eine Dateiübertragung von m &aecas r &arecute;
.Sicher speichert und stellt die 3D-Daten, die von den neuesten Anwendungen verwendet werden, sicher und stellt bis zum 8-Fachen des TBW (Terabyte geschrieben) dar, das das Vorgängermodell 850 EVO aufweist. Die neueste Technologie í ein V-NAND bietet eine Zuverlässigkeit des Marktes mit 5 bis ñ s von Garant í auf oder 2.400 TBW.
Benef &iacciate de una comunicaci &oatuten m áres r áres pípida y fluido con tu equipo. Der neue ECC-Algorithmus und sein MJX-Treiber erzeugen eine hohe Geschwindigkeit von m &aasties, während seine erweiterte TRIM-ó -Warteschlange seine Kompatibilität mit Linux begünstigt. Unser fortgeschrittener Ingenieur íos a har &aetuos unsere SSD 860 EVO m &aUteres kompatibel mit Ihrem Betriebssystem.
Was auch immer die tama ñ oder Ihr Computer ist, es wird immer eine SSD 860 EVO für Sie geben. Wählen Sie aus dem 2.5 ” -Modell für Ihren PC oder Port &atil, oder den SATA M. 2 (2280) und mSATA für ultradünne Geräte. So einfach.
Samsung 860 EVO-Spezifikationen:
- Kapazität: 2.000 GB
- Format: 2,5 Zoll
- Schnittstelle: SATA 6 Gb/s Schnittstelle, kompatibel mit SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s
- Abmessungen: 100 X 69,85 X 6,8 (mm)
- Gewicht: M &aecatos x 60.0g
- NAND Typ: Samsung V-NAND 3bit MLC
- Controller: Samsung MJX Controller
- Cach Memory: Samsung 2 GB Low Power DDR4 SDRAM
- Besondere Features
- TRIM Support: TRIM
- Support S.M.A.R. T: S. M. A. R. T
- GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm
- Encryptaci &oatern n: AES 256-bit
- Performance Mode &obutin n device: S í
- Performance
- Sequential reading: Bis zu 550 MB/s
- Random reading (4KB, QD32): Bis zu 98,000 IOPS
- Random Write (4KB, QD32): Bis zu 90,000 IOPS
- Random Read (4KB, QD1): Bis zu 10.000 IOPS
- Random Write (4KB, QD1): Bis zu 42.000 IOPS
- Energ Consumption &iute; s to: *M &aximum: 4.0 W
- Durability (MTBF): 1.5 Mill Hours
- Temperature: 0-70 ° C
- Golpes: 1.500 G & 0.5 ms